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产品资料

光谱干扰晶圆厚度计
产品型号:SF-3
简介:

光谱干扰晶圆厚度计SF-3日本OTSUKA大塚电子光谱干扰晶圆厚度计SF-3日本OTSUKA大塚电子

光谱干扰晶圆厚度计  的详细介绍
光谱干扰晶圆厚度计SF-3日本OTSUKA大塚电子光谱干扰晶圆厚度计SF-3日本OTSUKA大塚电子光谱干扰晶圆厚度计SF-3日本OTSUKA大塚电子光谱干扰晶圆厚度计SF-3日本OTSUKA大塚电子光谱干扰晶圆厚度计SF-3日本OTSUKA大塚电子光谱干扰晶圆厚度计SF-3日本OTSUKA大塚电子

製品情報

特 長
  • 光学式により非接触・非破壊での厚み測定が可能
  • スペクトル解析後による条件出し
  • 高速でリアルタイムに研磨モニタが可能
  • 保護フィルム、窓材など中間層越しの計測が可能
  • 多層厚み解析
  • 独自解析エンジンを搭載(特許出願中)
  • 厚み測定に*適な独自の解析アルゴリズムを採用(特許取得済み)
  • 厚み分布を自動でマッピング可能

 

測定項目
  • 膜厚解析(5層)

 

用 途
  • Si部材の厚み評価
  • シリコン、化合物半導体の研削評価用
  • 1.3mm 次世代450mmウェーハ
  • 775μm 300mmウェハ
  • TSVウェーハ(ビア上Si膜やSi層膜測定)
  • シリコンウェーハ以外の素材にも幅広く対応(SiO2、樹脂膜)
  • 仕 様
    型式 SF-3
    厚み測定範囲 0.1μm~10μm、15μm~1000μm、10μm~775μm *、50μm~1600μm*
    繰り返し精度 0.01%以下
    測定時間 *速200μs(5kHz)
    測定用光源 半導体光源
    測定径 *小φ6μm
    WD 10mm以上の任意の距離による
    寸法 123(W)×224(D)×128(H)mm(突起物を除く)

    * ただし表面状態による

    12インチウェーハ以下高速マッピング可能なコンパクトマッピング仕様
    高速Rθステージ SF-3Rθ

     


    特 長


    • Rθ可動軸による高速マッピング仕様
    • コンパクト設計マッピングステージ
    • 半導体プロセス装置への組込み可能(組込みマッピング仕様)
    • オリフラ、ノッチの画像認識機能
    • 分光干渉法により非接触・非破壊で高い再現性を実現
    • 貼り合せウェハの薄膜ボンディング、Si厚み、サポート基板のトータル厚み測定
    • 多層厚み測定が可能
    • オリフラ、ノッチの画像認識によるウェーハ面内高精度位置決めを実現 

     


    仕 様

    型式 SF-3Rθ
    光学系 光学プローブ
    厚み測定範囲 0.5 ~ 1600μm *
    可動軸
    測定径 φ6、φ9、φ500μm
    ステージ面サイズ φ300mm
    可動軸ストローク R軸:±150mm、θ軸:360°
    ウェーハサイズ 300mm以下
    計測時間 61ポイント/60s以下
    *大駆動速度 150mm/s
    ステージ分解能 10μm以下
    繰り返し位置決め精度 50μm以下
    その他機能  画像処理によるオリフラ及びノッチ合わせ機能
    吸着 あり
    特注 アライメント対応、ローダ対応

    * 分光器のタイプに依存